Modulatorê fotonîk ê silîkonî Mach-Zende bidin nasînModulatorê MZM
EwModulato ya Mach-zender pêkhateya herî girîng a li dawiya veguheztinê ye di modulên fotonîk ên silîkonê yên 400G/800G de. Niha, du celeb modulator hene li dawiya veguheztinê ya modulên fotonîk ên silîkonê yên bi girseyî têne hilberandin: Cureyek modulatorê PAM4 e ku li ser moda xebatê ya yek-kanal a 100Gbps-ê ye, ku veguhestina daneyan a 800Gbps bi rêya nêzîkatiyek paralel a 4-kanal / 8-kanal pêk tîne û bi giranî di navendên daneyan û GPU-yan de tê sepandin. Bê guman, modulatorek Mach-Zeonde ya fotonîk a silîkonê ya 200Gbps-ê ya yek-kanal ku dê piştî hilberîna girseyî ya 100Gbps bi EML re pêşbaziyê bike, divê ne dûr be. Cureya duyemîn ev e.Modulatora IQ-êdi ragihandina optîkî ya hevgirtî ya dûr û dirêj de tê sepandin. Noqbûna hevgirtî ya ku di qonaxa niha de hatî behs kirin, behsa dûrahiya veguhestina modulên optîkî dike ku ji hezaran kîlometreyan di tora pişta metropolîtan de heya modulên optîkî yên ZR yên ji 80 heta 120 kîlometreyan, û heta modulên optîkî yên LR yên ji 10 kîlometreyan di pêşerojê de.
Prensîba leza bilindmodûlatorên silîkonêdikare bibe du beş: optîk û elektrîk.
Beşa optîkî: Prensîba bingehîn interferometreyeke Mach-zeund e. Tîrêjeke ronahiyê di nav parçekereke tîrêjê ya 50-50 re derbas dibe û dibe du tîrêjên ronahiyê yên bi enerjiya wekhev, ku di her du milên modulatorê de berdewam dikin. Bi kontrola qonaxê li ser yek ji milên (ango, endeksa şikestinê ya silîkonê ji hêla germkerek ve tê guhertin da ku leza belavbûna yek milê biguhezîne), kombînasyona tîrêjê ya dawîn li derketina her du milên tê kirin. Dirêjahiya qonaxa destwerdanê (ku lûtkeyên her du milên hevdem digihîjin hev) û betalkirina destwerdanê (ku cûdahiya qonaxê 90° ye û lûtke li hember kêmahiyan in) dikare bi rêya destwerdanê were bidestxistin, bi vî rengî şîdeta ronahiyê (ku di sînyalên dîjîtal de wekî 1 û 0 dikare were fêm kirin) were modul kirin. Ev têgihîştinek hêsan e û her weha rêbazek kontrolê ye ji bo xala xebatê di xebata pratîkî de. Mînakî, di ragihandina daneyan de, em li xalek 3dB ji lûtkeyê kêmtir dixebitin, û di ragihandina hevgirtî de, em li xalek bê ronahî dixebitin. Lêbelê, ev rêbaza kontrolkirina cudahiya qonaxê bi rêya germkirin û belavkirina germê ji bo kontrolkirina sînyala derketinê pir dirêj digire û bi tenê nikare hewcedariya me ya veguhestina 100Gpbs di saniyeyê de bicîh bîne. Ji ber vê yekê, divê em rêyek bibînin ku rêjeyek modulasyonê ya zûtir bi dest bixin.
Beşa elektrîkê bi giranî ji beşa girêdana PN pêk tê ku pêdivî ye ku îndeksa şikestinê di frekansa bilind de biguherîne, û avahiya elektroda pêla rêwîtî ku bi leza sînyala elektrîkê û sînyala optîkî re li hev dike. Prensîba guhertina îndeksa şikestinê bandora belavbûna plazmayê ye, ku wekî bandora belavbûna hilgirê azad jî tê zanîn. Ew behsa bandora fîzîkî dike ku dema ku rêjeya hilgirên azad di materyalek nîvconductor de diguhere, beşên rastîn û xeyalî yên îndeksa şikestinê ya materyalê jî li gorî wê diguherin. Dema ku rêjeya hilgiran di materyalên nîvconductor de zêde dibe, katsayiya vegirtinê ya materyalê zêde dibe dema ku beşa rastîn a îndeksa şikestinê kêm dibe. Bi heman awayî, dema ku hilgirên di materyalên nîvconductor de kêm dibin, katsayiya vegirtinê kêm dibe dema ku beşa rastîn a îndeksa şikestinê zêde dibe. Bi bandorek wusa, di sepanên pratîkî de, modûlasyona sînyalên frekansa bilind dikare bi rêkxistina hejmara hilgiran di rêberê pêlê yê veguheztinê de were bidestxistin. Di dawiyê de, sînyalên 0 û 1 di pozîsyona derketinê de xuya dibin, sînyalên elektrîkê yên bilez li ser amplîtuda şîdeta ronahiyê bar dikin. Rêya bidestxistina vê yekê bi rêya girêdana PN ye. Hilgirên azad ên silîkona saf pir kêm in, û guhertina mîqdarê têrê nake ku guhertina di endeksa şikestinê de bicîh bîne. Ji ber vê yekê, pêdivî ye ku bingeha hilgir di rêberê pêlên veguhestinê de bi dopkirina silîkonê were zêdekirin da ku guhertina di endeksa şikestinê de were bidestxistin, bi vî rengî modûlasyona rêjeya bilindtir were bidestxistin.
Dema weşandinê: 12ê Gulana 2025an